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NXP Semiconductors
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
Table 9. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V CL
clamping voltage
[1][2]
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
I PP = 20 A
I PP = 20 A
I PP = 10 A
I PP = 10 A
I PP = 10 A
I PP = 6 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
18
18
18
19
35
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
10
15
15
15
40
?
?
?
?
?
?
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2.
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
(1)
(2)
006aab056
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
0.4
10
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
(1) PESD5Z2.5; PESD5Z3.3
(2) PESD5Z5.0; PESD5Z6.0; PESD5Z7.0; PESD5Z12
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
PESD5ZX_SER_2
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
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